Raster­elektronen­mikroskopie mit EDX
REM/EDX

Ein fokussierter Elektronenstrahl rastert die Probenoberfläche im Vakuum zeilenweise ab. Die ausgelösten Sekundär- und Rückstreuelektronen werden detektiert und zu einem Bild zusammengesetzt: Sekundärelektronen zeigen die Topographie, Rückstreuelektronen den Materialkontrast, sodass Phasen unterschiedlicher mittlerer Ordnungszahl im Bild unterscheidbar sind.

Gleichzeitig regt der Elektronenstrahl die Atome der Probe zur Aussendung charakteristischer Röntgenstrahlung an. Der EDX-Detektor ordnet deren Energie den Elementen zu. Die Analyse erfolgt als Punktmessung, als Linienscan über eine Grenzfläche oder als Elementverteilungsbild. Am IKS ist ein Feldemissions-Rasterelektronenmikroskop (Zeiss Sigma VP) im Einsatz; die Feldemissionskathode liefert einen feinen Strahl für hohe Auflösung, der Niedervakuummodus (VP, variable pressure) erlaubt die Untersuchung nichtleitender Proben wie organischer Beschichtungen ohne leitfähige Bedampfung. Querschliffe werden im Materialographie-Labor mechanisch oder per Ionenstrahlpräparation (Leica EM TIC 3X) hergestellt; letztere vermeidet Präparationsartefakte an empfindlichen Grenzflächen.

In der Normenübersicht des IKS ist das Verfahren als Hausverfahren „Analyse von Oberflächen mittels Rasterelektronenmikroskopie und EDX-Spektroskopie (REM/EDX, FESEM-EDX)“ geführt.

Beschreiben Sie kurz Werkstoff, Überzug oder Beschichtung und die Fragestellung. Wir prüfen, ob REM/EDX geeignet ist, und nennen Ihnen andernfalls ein alternatives Verfahren, etwa Raman-Mikroskopie, FT-IR oder Funkenspektrometrie.